FDB86360_SN00307
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDB86360_SN00307 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 333W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14600 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 253 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDB863 |
FDB86360_SN00307 Einzelheiten PDF [English] | FDB86360_SN00307 PDF - EN.pdf |
FDB86363 FAIRCHI
FDB86366 FAIRCHILD
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
MOSFET N-CH 100V D2PAK
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
FDB86360 FAIRCHI
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
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MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB86360_SN00307onsemi |
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Zielpreis (USD)
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